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FQT5P10	文件：668.65 Kbytes Page：8 Pages	250VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andwiths	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQT5P10	文件：1.82344 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FQT5P10TF	文件：1.04314 Mbytes Page：8 Pages	P-Channel100-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
FQT5P10TF	文件：1.07086 Mbytes Page：8 Pages	P-ChannelQFET짰MOSFET-100V,-1.0A,1.05廓 Description ThisP-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU5P10	文件：648.66 Kbytes Page：9 Pages	100VP-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseP-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbl. Features •-3.6A,-100V,RDS(on)=1.05Ω@VGS=-10V •Lowgatecharge(typical6.3nC) •LowCrs	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KQD5P10	文件：63.66 Kbytes Page：2 Pages	100VP-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KSMU5P10	文件：649.52 Kbytes Page：4 Pages	Excellentpackageforgoodheatdissipation.	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
PJD5P10A	文件：391.23 Kbytes Page：8 Pages	100VP-ChannelEnhancementModeMOSFET	PANJITPan Jit International Inc. 強茂強茂股份有限公司	PANJIT
SS5P10	文件：108.71 Kbytes Page：5 Pages	HighCurrentDensitySurface-MountSchottkyBarrierRectifiers FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •Guardringforovervoltageprotection •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiency •Lowthermalresistance •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qu	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
SS5P10	文件：96.76 Kbytes Page：6 Pages	HighCurrentDensitySurfaceMount	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

详细参数

型号：
FQB5P10TM
功能描述：
MOSFET 100V P-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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