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HM5N50I	文件：560.2 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM5N50K	文件：560.2 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HY5N50FT	文件：151.38 Kbytes Page：4 Pages	500V/5AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
HY5N50T	文件：151.38 Kbytes Page：4 Pages	500V/5AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
IRFIB5N50L	文件：185.54 Kbytes Page：9 Pages	MOTORControlApplication	IRF International Rectifier	IRF
IRFIB5N50L	文件：170.31 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIB5N50LPBF	文件：170.31 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFIB5N50LPBF	文件：178.7 Kbytes Page：9 Pages	SMPSMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IXFP5N50	文件：295.28 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=5A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.65Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andPFCCircuits..	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IXFP5N50PM	文件：111.27 Kbytes Page：2 Pages	PolarHVTMHiPerFETPowerMOSFET	IXYS IXYS Corporation	IXYS

详细参数

型号：
FQB5N50TM
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQB5N50TM供应商更新时间2025-7-25 17:10:00

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