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KSM55N10	文件：1.94734 Mbytes Page：7 Pages	100VN-ChannelMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTE55N10FP	文件：396.32 Kbytes Page：8 Pages	N-ChannelEnhancementModePowerMOSFET	CYSTEKECCystech Electonics Corp. 全宇昕科技全宇昕科技股份有限公司	CYSTEKEC
MTM55N10	文件：192.63 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR TheseTMOSPowerFETsaredesignedforlowvoltage,highspeedpowerswitchingapplicationssuchasswitchingregulators,converters,solenoidandrelaydrivers. •SiliconGateforFastSwitchingSpeeds—SwitchingTimes	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTM55N10	文件：95.14 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATETMOSPOWERFIELDEFFECTTRANSISTOR 55and60AMPERE N-ChannelTMOSPOWERFETs rDS(on)=0.04OHM80and100VOLTS rDS(on)=0.28OHM50and60VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTM55N10	文件：93.22 Kbytes Page：1 Pages	N-CHANNELTWOSPOWERFETs 55and60AMPERE N-ChannelTMOSPOWERFETs rDS(on)=0.04OHM80and100VOLTS rDS(on)=0.28OHM50and60VOLTS	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
OM55N10SA	文件：81.42 Kbytes Page：8 Pages	LOWVOLTAGE,LOWRDS(on)POWERMOSFETSINHERMETICISOLATEDPACKAGE DESCRIPTION ThisseriesofhermeticpackagedMOSFETsareideallysuitedforlowvoltageapplications;batterypoweredvoltagepowersupplies,motorcontrols,dctodcconvertersandsynchronousrectification.Thelowconductionlossallowssmallerheatsinkingandthelowgatechangesimplerdriv	IRF International Rectifier	IRF
OM55N10SA	文件：75.94 Kbytes Page：8 Pages	LOWVOLTAGE,LOWRDS(on)POWERMOSFETSINHERMETICISOLATEDPACKAGE	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
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OM55N10SC	文件：81.42 Kbytes Page：8 Pages	IsolatedHermeticMetalPackages	IRF International Rectifier	IRF
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详细参数

型号：
FQB55N10TM
功能描述：
MOSFET 100V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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