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MTM55N10中文资料PDF规格书

MTM55N10
厂商型号

MTM55N10

功能描述

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

文件大小

192.63 Kbytes

页面数量

5

生产厂商 Motorola, Inc
企业简称

Motorola

中文名称

摩托罗拉官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2024-6-14 19:09:00

MTM55N10规格书详情

N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

These TMOS Power FETs are designed for low voltage, high speed power switching applications such as switching regulators, converters, solenoid and relay drivers.

• Silicon Gate for Fast Switching Speeds — Switching Times Specified at 100°C

• Designers Data — IDSS, VDS(on), VGS(th) and SOA Specified at Elevated Temperature

• Rugged — SOA is Power Dissipation Limited

• Source-to-Drain Diode Characterized for Use With Inductive Loads

产品属性

  • 型号:

    MTM55N10

  • 制造商:

    MOTOROLA

  • 制造商全称:

    Motorola, Inc

  • 功能描述:

    N-CHANNEL ENHANCEMENT-MODE SILICON GATE TMOS POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR

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