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FQB55N10中文资料无锡固电数据手册PDF规格书

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厂商型号

FQB55N10

功能描述

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件大小

287.24 Kbytes

页面数量

2

生产厂商

ISC

中文名称

无锡固电

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数据手册

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更新时间

2025-10-4 11:26:00

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FQB55N10规格书详情

FEATURES

·Drain Current -ID=55A@ TC=25℃

·Drain Source Voltage -VDSS=100V(Min)

·Static Drain-Source On-Resistance

-RDS(on) = 0.026Ω(Max)@VGS= 10V

DESCRIPTION

·Motor drive, DC-DC converter, power switch

and solenoid drive.

产品属性

  • 型号:

    FQB55N10

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor Corporation

  • 功能描述:

    MOSFET N D2-PAK

  • 功能描述:

    MOSFET, N, D2-PAK

  • 功能描述:

    MOSFET, N, D2-PAK; Transistor

  • Polarity:

    N Channel; Continuous Drain Current

  • Id:

    55A; Drain Source Voltage

  • Vds:

    100V; On Resistance

  • Rds(on):

    26mohm; Rds(on) Test Voltage

  • Vgs:

    10V; Threshold Voltage Vgs

  • Typ:

    4V; Power Dissipation

  • Pd:

    155W ;RoHS

  • Compliant:

    Yes

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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