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FQB50N06LTM中文资料仙童半导体数据手册PDF规格书

FQB50N06LTM
厂商型号

FQB50N06LTM

功能描述

N-Channel QFET짰 MOSFET 60 V, 52.4 A, 21 m廓

文件大小

836.39 Kbytes

页面数量

8

生产厂商 Fairchild Semiconductor
企业简称

FAIRCHILD仙童半导体

中文名称

飞兆/仙童半导体公司官网

原厂标识
FAIRCHILD
数据手册

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更新时间

2025-8-1 23:00:00

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FQB50N06LTM规格书详情

描述 Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

特性 Features

• 52.4 A, 60 V, RDS(on) = 21 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 26.2 A

• Low Gate Charge (Typ. 24.5 nC)

• Low Crss (Typ. 90 pF)

• 100 Avalanche Tested

• 175°C Maximum Junction Temperature Rating

产品属性

  • 型号:

    FQB50N06LTM

  • 功能描述:

    MOSFET 60V N-Channel QFET Logic Level

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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