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MTP4N80	文件：159.11 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=3.0OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=3.0OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Ina	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP4N80E	文件：115.01 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司	NJSEMI
MTP4N80E	文件：159.11 Kbytes Page：8 Pages	TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=3.0OHM TMOSE-FET™PowerFieldEffectTransistorN-ChannelEnhancement-ModeSiliconGate TMOSPOWERFET4.0AMPERES800VOLTSRDS(on)=3.0OHM ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationschemetoprovideenhancedvoltage–blockingcapabilitywithoutdegradingperformanceovertime.Ina	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTP4N80E	文件：301.53 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
MTW4N80	文件：70.17 Kbytes Page：2 Pages	TMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISITORN-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTW4N80E	文件：70.17 Kbytes Page：2 Pages	TMOSE-FETPOWERFIELDEFFECTTRANSISITORN-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATE	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTW4N80E	文件：322.41 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=800V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=3Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
NJ4N80	文件：604.23 Kbytes Page：6 Pages	4.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ4N80A-LI	文件：604.23 Kbytes Page：6 Pages	4.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ
NJ4N80-BL	文件：604.23 Kbytes Page：6 Pages	4.0A800VN-CHANNELPOWERMOSFET	DGNJDZNanjing International Group Co 南晶电子东莞市南晶电子有限公司	DGNJDZ

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详细参数

型号：
FQB4N80TM
功能描述：
MOSFET 800V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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