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HY4N60T	文件：107.57 Kbytes Page：4 Pages	600V/4.0AN-ChannelEnhancementModeMOSFET	HY HY ELECTRONIC CORP.	HY
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详细参数

型号：
FQB4N60TM
功能描述：
MOSFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多FQB4N60TM供应商更新时间2025-7-28 11:04:00

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