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FQT4N25TF	文件：1.73029 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelQFET짰MOSFET Description ThisN-ChannelenhancementmodepowerMOSFETisproducedusingFairchildSemiconductor®’sproprietaryplanarstripeandDMOStechnology.ThisadvancedMOSFETtechnologyhasbeenespeciallytailoredtoreduceon-stateresistance,andtoprovidesuperiorswitchingperformanceandhigha	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU4N25	文件：329.48 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent-ID=3.0A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=250V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=1.75Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
FQU4N25	文件：1.7968 Mbytes Page：9 Pages	N-ChannelQFETMOSFET	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FQU4N25	文件：722.8 Kbytes Page：9 Pages	250VN-ChannelMOSFET Features •3.0A,250V,RDS(on)=1.75Ω(Max)@VGS=10V •Lowgatecharge(Typ.4.3nC) •LowCrss(Typ.4.8pF) •Fastswitching •100avalanchetested •Improveddv/dtcapability	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
K4N25	文件：256.329 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmitting) Photocoupler ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmittingDiodeandaSiliconNPNPhototransistorina6-pinpackage. FEATURES •SwitchingTime-Typ.3㎲ •Collector-EmitterVoltage:Min.30V •CurrentTransferRatio:Typ.100(atIF=10mA,VCE=10V) •El	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
K4N25A	文件：256.329 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmitting) Photocoupler ThesePhotocouplersconsistofaGalliumArsenideInfraredEmittingDiodeandaSiliconNPNPhototransistorina6-pinpackage. FEATURES •SwitchingTime-Typ.3㎲ •Collector-EmitterVoltage:Min.30V •CurrentTransferRatio:Typ.100(atIF=10mA,VCE=10V) •El	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
K4N25G	文件：187.37 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplerscosistofaGalliumArsenideInfraredEmitting) Photocoupler ThesePhotocouplerscosistofaGalliumArsenideInfraredEmittingDiodeandaSiliconNPNPhototransistorina6-pinpackage. FEATURES •TTLCompatibleOutput •Collector-EmitterVoltage:Min.50V •CurrentTransferRatio:Typ.100(atIF=5mA,VCE=5V) •Electric	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
K4N25H	文件：187.37 Kbytes Page：3 Pages	Photocoupler(ThesePhotocouplerscosistofaGalliumArsenideInfraredEmitting) Photocoupler ThesePhotocouplerscosistofaGalliumArsenideInfraredEmittingDiodeandaSiliconNPNPhototransistorina6-pinpackage. FEATURES •TTLCompatibleOutput •Collector-EmitterVoltage:Min.50V •CurrentTransferRatio:Typ.100(atIF=5mA,VCE=5V) •Electric	KODENSHIKODENSHI_AUK CORP. 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
KSM4N25	文件：1.98426 Mbytes Page：7 Pages	250VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMD4N25	文件：3.23426 Mbytes Page：8 Pages	N-ChannelMOSFET250V,3A,1.75廓	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI

详细参数

型号：
FQB4N25
制造商：
FAIRCHILD
制造商全称：
Fairchild Semiconductor
功能描述：
250V N-Channel MOSFET

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