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厂商型号

FQB44N10TM

功能描述

N-Channel QFET® MOSFET 100 V, 43.5 A, 39 mΩ

文件大小

902.61 Kbytes

页面数量

10

生产厂商

ONSEMI

中文名称

安森美半导体

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数据手册

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更新时间

2025-12-17 15:34:00

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FQB44N10TM规格书详情

描述 Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies, active power factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.

特性 Features

• 43.5 A, 100 V, RDS(on) = 39 mΩ (Max.) @ VGS = 10 V, ID = 21.75 A

• Low Gate Charge (Typ. 48 nC)

• Low Crss (Typ. 85 pF)

• 100% Avalanche Tested

• 175°C Maximum Junction Temperature Rating

产品属性

  • 型号:

    FQB44N10TM

  • 功能描述:

    MOSFET 100V N-Channel QFET

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
FSC
23+
D2PAK
2700
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