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FQU2N50B	文件：597.16 Kbytes Page：9 Pages	500VN-ChannelMOSFET GeneralDescription TheseN-ChannelenhancementmodepowerfieldeffecttransistorsareproducedusingFairchild’sproprietary,planarstripe,DMOStechnology. Thisadvancedtechnologyhasbeenespeciallytailoredtominimizeon-stateresistance,providesuperiorswitchingperformance,andw	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KQB2N50	文件：62.93 Kbytes Page：2 Pages	500VN-ChannelMOSFET	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
KSMD2N50	文件：1.63421 Mbytes Page：8 Pages	500VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
KSMU2N50	文件：1.63421 Mbytes Page：8 Pages	500VN-CHANNELMOSFET	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
MTD2N50	文件：1.07618 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTD2N50	文件：168.7 Kbytes Page：5 Pages	POWERFIELDEFFECTTRANSISTORN-CHANNELENHANCEMENT-MODESILICONGATEDPAKFORSURFACEMOUNTORINSERTIONMOUNT	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTD2N50E	文件：299.02 Kbytes Page：10 Pages	TMOSPOWERFET2.0AMPERES500VOLTSRDS(on)=3.6OHM TheD2PAKpackagehasthecapabilityofhousingalargerdiethananyexistingsurfacemountpackagewhichallowsittobeusedinapplicationsthatrequiretheuseofsurfacemountcomponentswithhigherpowerandlowerRDS(on)capabilities.ThishighvoltageMOSFETusesanadvancedterminationscheme	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
MTD2N50E	文件：152.07 Kbytes Page：12 Pages	N?묬hannelDPAKPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MTD2N50E	文件：1.07619 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
MTD2N50E	文件：345.75 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent–ID=2A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage- :VDSS=500V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=3.6Ω(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation DESCRIPTION ·motordrive,DC-DCcon	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
FQB2N50TM
功能描述：
MOSFET 500V N-Channel QFET
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FQB2N50TM供应商更新时间2025-5-17 10:06:00

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