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FP4407D3	文件：1.10525 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET Features  VDS=-30V, ID=-35A  RDS(ON)=9.5mΩ@VGS=-10V(Typ.)  RDS(ON)=13mΩ@VGS=-4.5V(Typ.)  High Power and current handing capab ility  Lead free product is acquired  Surface Mount Package Main Applications  Battery Protection  Load Switch  Power Management 文件：1.10525 Mbytes 页数：4 Pages	GWSEMI 唯圣电子	GWSEMI
FP50R12KT4	文件：0 bytes Page：0 Pages	Infineon IGBT	Infineon 英飞凌上传：深圳市芯泽盛世科技有限公司	Infineon
FP50R12KT4BPSA1	文件：0 bytes Page：0 Pages	Infineon Technologies Module	Infineon Technologies 上传：深圳市华睿芯科技有限公司	Infineon Technologies
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更多FP4407D3供应商更新时间2025-10-10 11:10:00