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FP4407D3	文件：1.10525 Mbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET Features VDS=-30V,ID=-35A RDS(ON)=9.5mΩ@VGS=-10V(Typ.) RDS(ON)=13mΩ@VGS=-4.5V(Typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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FP4407D3

文件：1.10525 Mbytes

Page：4 Pages

P-Channel Enhancement MOSFET

Features VDS=-30V,ID=-35A RDS(ON)=9.5mΩ@VGS=-10V(Typ.) RDS(ON)=13mΩ@VGS=-4.5V(Typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement

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更多FP4407D3供应商更新时间2025-5-20 17:21:00

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