P-Channel Enhancement MOSFET

Features  VDS=-20V, ID=-0.66A  RDS(ON)=450mΩ@VGS=-4.5V  RDS(ON)=620mΩ@VGS=-2.5V  P-Channel Switch with Low RDS(ON)  Lead free product is acquired  Surface Mount Package Main Applications  Battery Protection  Load Switch  Power Management

文件：223.43 Kbytes 页数：4 Pages

GWSEMI

唯圣电子

MODULE

INFINEON/英飞凌

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Module

Infineon Technologies

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IGBT

INFIEON

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IGBT模块

INFINEON

英飞凌

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