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FP39KD3	文件：223.43 Kbytes Page：4 Pages	P-Channel Enhancement MOSFET Features VDS=-20V,ID=-0.66A RDS(ON)=450mΩ@VGS=-4.5V RDS(ON)=620mΩ@VGS=-2.5V P-ChannelSwitchwithLowRDS(ON) Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI

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文件：223.43 Kbytes

Page：4 Pages

P-Channel Enhancement MOSFET

Features VDS=-20V,ID=-0.66A RDS(ON)=450mΩ@VGS=-4.5V RDS(ON)=620mΩ@VGS=-2.5V P-ChannelSwitchwithLowRDS(ON) Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement

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更多FP39KD3供应商更新时间2025-5-3 10:18:00

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