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HVC133	文件：32 Kbytes Page：1 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiode Features ●Lowcapacitance.(C=1.0pFmax) ●Lowforwardresistance.(rf=0.7max)	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
HVC133	文件：81.62 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVC133	文件：23.21 Kbytes Page：6 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVC133A	文件：159.73 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •UltrasmallFlatPackage(UFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD133	文件：37.99 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi
HVD133	文件：76.36 Kbytes Page：7 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVD133A	文件：64.3 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Features •Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •SupersmallFlatPackage(SFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVL133A	文件：63.76 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching Feature •Anoptimalsolutionforantennaswitchinginmobilephones. •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •ExtremelysmallFlatLeadPackage(EFP)issuitableforsurfacemountdesign.	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVL133A	文件：150.78 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforAntennaSwitching	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HVU133	文件：23.03 Kbytes Page：5 Pages	SiliconEpitaxialPlanarPinDiodeforHighFrequencySwitching Features •Lowcapacitance.(C1=1.0pFmax) •Lowforwardresistance.(rf=0.7Ωmax) •UltrasmallResinPackage(URP)issuitableforhighdensitysurfacemountingandhighspeedassembly.	HitachiHitachi Semiconductor 日立日立公司	Hitachi

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