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FP1189-G中文资料WJCI数据手册PDF规格书

FP1189-G
厂商型号

FP1189-G

功能描述

쩍-Watt HFET

文件大小

387.91 Kbytes

页面数量

11

生产厂商 WJ Communication. Inc.
企业简称

WJCI

中文名称

WJ Communication. Inc.

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-5-24 15:39:00

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FP1189-G规格书详情

Product Description

The FP1189 is a high performance ½-Watt HFET (Heterostructure FET) in a low-cost SOT-89 surface-mount package. This device works optimally at a drain bias of +8 V and 125 mA to achieve +40 dBm output IP3 performance and an output power of +27 dBm at 1-dB compression, while providing 20.5 dB gain at 900 MHz.

Product Features

• 50 – 4000 MHz

• +27 dBm P1dB

• +40 dBm Output IP3

• High Drain Efficiency

• 20.5 dB Gain @ 900 MHz

• Lead-free/Green/RoHS compliant SOT-89 Package

• MTTF >100 Years

Applications

• Mobile Infrastructure

• CATV / DBS

• W-LAN / ISM

• RFID

• Defense / Homeland Security

• Fixed Wireless

产品属性

  • 型号:

    FP1189-G

  • 功能描述:

    射频JFET晶体管 50-4000MHz +27dBm P1dB

  • RoHS:

  • 制造商:

    NXP Semiconductors

  • 配置:

    Single

  • 晶体管极性:

    N-Channel 正向跨导

  • gFS(最大值/最小值):

    电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    漏源电压

  • VDS:

    40 V

  • 闸/源截止电压:

    5 V

  • 闸/源击穿电压:

    40 V

  • 最大漏极/栅极电压:

    40 V 漏极电流(Vgs=0 时的

  • Idss):

    25 mA to 75 mA

  • 功率耗散:

    250 mW

  • 最大工作温度:

    + 150 C

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOT-23

  • 封装:

    Reel

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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