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FP10R12W1T7_B11中文资料1200 V PIM IGBT module数据手册Infineon规格书

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厂商型号

FP10R12W1T7_B11

参数属性

FP10R12W1T7_B11 封装/外壳为模块;包装为托盘;类别为分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块;产品描述:LOW POWER EASY AG-EASY1B-2

功能描述

1200 V PIM IGBT module
LOW POWER EASY AG-EASY1B-2

封装外壳

模块

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 19:00:00

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FP10R12W1T7_B11规格书详情

描述 Description

EasyPIM™ 1B 1200 V, 10 A three phase input rectifier PIM (Power Integrated Modules) IGBT module with TRENCHSTOP™ IGBT7, Emitter Controlled 7 diode, NTC and PressFIT Contact Technology. 

特性 Features

• Low on state voltage VCE(sat) and Vf
• Tvj op=175°C at overload
• Enhanced controllability of dv/dt
• Optimized switching losses for dv/dt = 5kV/µs
• 8 μs short-circuit robustness
• Improved FWD softness

优势:
• Higher power density
• Low losses to meet energy efficiency requirements
• Optimized trade-off between losses and EMI
• Lower system cost

应用 Application

• Drives
• Servo
• CAC

简介

FP10R12W1T7_B11属于分立半导体产品的晶体管-IGBT-模块。由制造生产的FP10R12W1T7_B11晶体管 - IGBT - 模块绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 是三端功率半导体器件,主要用作电子开关,兼具高效率和快速切换优点。作为模块,IGBT 配置为非对称式桥; 升压、降压和制动斩波器;全桥、三电平和三相逆变器。有些器件内置了用于监控温度的 NTC 热敏电阻。IGBT 模块可根据最大功率、集电极电流、集射击穿电压和配置进行区分。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FP10R12W1T7_B11

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Green

    :yes

  • Halogen-free

    :no

  • Voltage Class

    :1200 V

  • Configuration

    :PIM

  • Technology

    :IGBT7 - T7

  • IC(nom) / IF(nom)

    :10 A

  • OPN

    :FP10R12W1T7B11BOMA1

  • VCE(sat) Tvj=25°C typ

    :1.6 V

  • VF Tvj=25°C typ

    :1.72 V

  • Qualification

    :Industrial

  • Housing

    :EasyPIM™ 1B

  • Features

    :PressFIT

  • Dimensions length

    :62.8 mm

  • Dimensions width

    :33.8 mm

  • Package name

    :AG-EASY1B

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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