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FP10R12W1T3数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

FP10R12W1T3

功能描述

IGBT-modules

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

原厂标识
Infineon
数据手册

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更新时间

2025-8-5 16:01:00

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技术参数

  • 型号:

    FP10R12W1T3

  • 功能描述:

    IGBT 模块 N-CH 1.2KV 16A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Infineon Technologies

  • 产品:

    IGBT Silicon Modules

  • 配置:

    Dual 集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    600 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    1.95 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    230 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    445 W

  • 最大工作温度:

    + 125 C

  • 封装/箱体:

    34MM

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