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FODM453V	文件：191.22 Kbytes Page：12 Pages	5-PinMiniFlatPackageHighSpeedTransistorOptocoupler Description TheFODM452andFODM453optocouplersconsistofanAlGaAs LEDopticallycoupledtoahighspeedphoto−detectortransistor.The devicesarehousedinacompact5−pinminiflatpackageforoptimum mountingdensity. TheFODM453featuresahighCMRratingforoptimumcommon modetran	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FXT453	文件：36.59 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONPLANARMEDIUMPOWERTRANSISTOR FEATURES 100VoltVCEO 1Ampcontinuouscurrent *Ptot=1Watt	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
GL453	文件：133.83 Kbytes Page：4 Pages	BIDIRECTIONALEMISSIONTYPEINFRAREDLIGHTEMITTINGDIODE BidirectionalEmissionTypeInfraredLightEmittingDiode Applications 1.Lightsourcefortape-enddetectorsofVHStypeVCRs	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
GL453	文件：43.7 Kbytes Page：4 Pages	BidirectionalEmissionTypeInfraredEmittingDiode BidirectionalEmissionTypeInfraredLightEmittingDiode Applications 1.Lightsourcefortape-enddetectorsofVHStypeVCRs	SHARPSharp Microelectronics of the Americas (SMA) 夏普微美国夏普微电子公司（SMA）	SHARP
HCPL-M453	文件：89.59 Kbytes Page：8 Pages	SmallOutline,5Lead,HighSpeedOptocouplers Description ThesesmalloutlinehighCMR,highspeed,diode-transistoroptocouplersaresinglechanneldevicesinafiveleadminiaturefootprint.TheyareelectricallyequivalenttothefollowingAgilentoptocouplers: TheSO-5JEDECregistered(MO-155)packageoutlinedoesnotrequire“through	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HWS453	文件：78.12 Kbytes Page：2 Pages	GaAsDC-6GHzDPDTSwitch Description TheHWS453isaGaAsPHEMTMMICDPDTswitchoperatingatDC-6GHzinalowcostminiatureQFN12L(3x3mm)plasticlead(Pb)freepackage.TheHWS453featureslowinsertionlossandhighisolationwithverylowDCpowerconsumption.ThisswitchcanbeusedinIEEE802.11a/b/gWLANsy	HWHexawave, Inc 汉威光电汉威光电股份有限公司	HW
IRF453	文件：214.37 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES •LowRds(on))athighvoltage •ImprovedInductiveruggedness •Excellenthighvoltagestability •Fastswitchingtimes •Ruggedpolysillcongatecellstructure •LowInputcapacitance •Extendedsafeoperatingarea •Improvedhightemperaturereliability •TO-3package(Highv	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF453	文件：48.87 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFP453	文件：212.66 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRFP453	文件：67.82 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

详细参数

型号：
FODM453_Q
功能描述：
高速光耦合器 1 Mbit/s SCHS/CMR Transistor Output
RoHS：
否
制造商：
Avago Technologies
最大正向二极管电压：
1.75 V
最大反向二极管电压：
5 V
最大功率耗散：
40 mW
最大工作温度：
+125 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
SOIC-5
封装：
Tube

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更多FODM453_Q供应商更新时间2025-5-25 10:07:00

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