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FOD3180SD	文件：747.28 Kbytes Page：13 Pages	2A Output Current, High Speed MOSFET Gate Driver Optocoupler Description The FOD3180 is a 2A Output Current, High Speed MOSFET Gate Drive Optocoupler. It consists of a aluminium gallium arsenide (AlGaAs) light emitting diode optically coupled to a CMOS detector with PMOS and NMOS output power transistors integrated circuit power stage. It is ideally suited 文件：747.28 Kbytes 页数：13 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FOD3180SD	文件：393.03 Kbytes Page：14 Pages	2 A Output Current, High Speed MOSFET Gate Driver Optocoupler Description The FOD3180 is a 2 A Output Current, High Speed MOSFET Gate Drive Optocoupler. It consists of a aluminium gallium arsenide (AlGaAs) light emitting diode optically coupled to a CMOS detector with PMOS and NMOS output power transistors integrated circuit power stage. It is ideally s 文件：393.03 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FOD3180SD	文件：294.24 Kbytes Page：13 Pages	2A Output Current, High Speed MOSFET Gate Driver Optocoupler 文件：294.24 Kbytes 页数：13 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FOD3180SDV	文件：747.28 Kbytes Page：13 Pages	2A Output Current, High Speed MOSFET Gate Driver Optocoupler Description The FOD3180 is a 2A Output Current, High Speed MOSFET Gate Drive Optocoupler. It consists of a aluminium gallium arsenide (AlGaAs) light emitting diode optically coupled to a CMOS detector with PMOS and NMOS output power transistors integrated circuit power stage. It is ideally suited 文件：747.28 Kbytes 页数：13 Pages	FAIRCHILD 仙童半导体	FAIRCHILD
FOD3180SDV	文件：393.03 Kbytes Page：14 Pages	2 A Output Current, High Speed MOSFET Gate Driver Optocoupler Description The FOD3180 is a 2 A Output Current, High Speed MOSFET Gate Drive Optocoupler. It consists of a aluminium gallium arsenide (AlGaAs) light emitting diode optically coupled to a CMOS detector with PMOS and NMOS output power transistors integrated circuit power stage. It is ideally s 文件：393.03 Kbytes 页数：14 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
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详细参数

型号：
FOD3180SD
功能描述：
高速光耦合器 2A IGBT/FET GTE DRV OPTOCOUPLER
RoHS：
否
制造商：
Avago Technologies
最大正向二极管电压：
1.75 V
最大反向二极管电压：
5 V
最大功率耗散：
40 mW
最大工作温度：
+125 C
最小工作温度：
- 40 C
封装/箱体：
SOIC-5
封装：
Tube

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