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MMBTSC2712

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor

NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor foraudiofrequencygeneralpurposeamplifierapplications. ThetransistorissubdividedintofourgroupsO,Y,GandL, accordingtoitsDCcurrentgain. Features •Highvoltageandhighcurrent:VCEO=50V,IC=150mA(max) •HighhFE:hFE=70~700 •Lown

DGNJDZNanjing International Group Co

南晶电子东莞市南晶电子有限公司

MMBTSC2712

NPNTransistor

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司

MMBTSC2712G

NPNTransistor

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司

MMBTSC2712L

NPNTransistor

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MMBTSC2712O

NPNTransistor

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

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MMBTSC2712Y

NPNTransistor

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司

NJM2712

ULTRAHIGH-SPEEDSINGLEOPERATIONALAMPLIFIER

■GENERALDESCRIPTION TheNJM2712isadualhighspeedwidebandwidth operationalamplifier.Itfeatureshighslewrateof 260V/uSandwidegainbandwirthof1GHz.Itissuitable foranalogfrontendapplication. ■FEATURES •OperatingVoltage±2.0to±4.5V •OperatingCurrent3.8mAtyp.

NJRCNew Japan Radio

新日本无线株式会社

NJM2712

ULTRAHIGHSPEEDSINGLEOPERATIONALAMPLIFIER

ETC1List of Unclassifed Manufacturers

etc未分类制造商未分类制造商

NJM2712M

ULTRAHIGHSPEEDSINGLEOPERATIONALAMPLIFIER

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etc未分类制造商未分类制造商

NJM2712M

ULTRAHIGH-SPEEDSINGLEOPERATIONALAMPLIFIER

■GENERALDESCRIPTION TheNJM2712isadualhighspeedwidebandwidth operationalamplifier.Itfeatureshighslewrateof 260V/uSandwidegainbandwirthof1GHz.Itissuitable foranalogfrontendapplication. ■FEATURES •OperatingVoltage±2.0to±4.5V •OperatingCurrent3.8mAtyp.

NJRCNew Japan Radio

新日本无线株式会社

详细参数

  • 型号:

    FOD2712_Q

  • 功能描述:

    光隔离放大器 Error amplifier Optocoupler

  • RoHS:

  • 制造商:

    Avago Technologies

  • 绝缘电压:

    5000 Vrms

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    SOIC-8

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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2020+
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百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可
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2021+
SOIC-8
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更多FOD2712_Q供应商 更新时间2025-7-23 10:58:00