FMMTH10TA_分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频-龙鼎微

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厂家型号：
FMMTH10TA
制造商：
PAM/龙鼎微
库存数量：
0
类别：
分立半导体产品晶体管-双极（BJT）-射频
封装外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
包装：
卷带（TR）
安装类型：
表面贴装型
更新时间：
2025-8-9 16:30:00

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详细信息
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原厂料号：FMMTH10TA品牌：Diodes Incorporated

资料说明：RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

FMMTH10TA是分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频。制造商PAM/龙鼎微生产封装TO-236-3，SC-59，SOT-23-3的FMMTH10TA晶体管 - 双极（BJT）- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件，用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP，特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。

芯片型号：
fmmth10ta
规格书：
原厂下载下载
企业简称：
PAM【龙鼎微】详情
厂商全称：
Diodes Incorporated
中文名称：
龙鼎微电子（上海）有限公司
资料说明：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

产品属性

类型
描述
产品编号：
FMMTH10TA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN
电压 - 集射极击穿（最大值）：
25V
频率 - 跃迁：
650MHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3dB ~ 5dB @ 500MHz
功率 - 最大值：
330mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
60 @ 4mA，10V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
25mA
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3

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FMMTH10TA

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