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FMMT717QTA	文件：294.44 Kbytes Page：7 Pages	12V PNP SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 文件：294.44 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT717QTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T\u0026R	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT717TA	文件：294.44 Kbytes Page：7 Pages	12V PNP SILICON LOW SATURATION TRANSISTOR IN SOT23 文件：294.44 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT717TA	文件：367.43 Kbytes Page：4 Pages	SOT23 PNP SILICON POWER (SWITCHING) TRANSISTORS Features • BVCEO > -100V • IC = -1A High Continuous Collector Current • ICM= -2.5A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：367.43 Kbytes 页数：4 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMTL717	文件：75.18 Kbytes Page：3 Pages	SOT23 PNP SILICON PLANAR HIGH GAIN MEDIUM POWER TRANSISTOR Features • BVCEO > -12V • IC = -1.25A Continuous Collector Current • ICM = -4A Peak Pulse Current • Low Saturation Voltage VCE(sat) 文件：75.18 Kbytes 页数：3 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
FMMT717QTA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
220mV @ 50mA，2.5A
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
300 @ 100mA，2V
频率 - 跃迁：
110MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
SS LOW SAT TRANSISTOR SOT23 T\u0026R

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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