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FZT591A	文件：1.06631 Mbytes Page：2 Pages	SOT223PNPSILICONPLANAR Features •BVCEO>-40V •IC=-1AHighContinuousCurrent •LowSaturationVoltageVCE(sat)	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
FZT591A	文件：60.7 Kbytes Page：1 Pages	PNPSiliconPlanarMediumPowerTransistor ■Features ●PowerCollectordissipation:PC=2W ●ContinuousCollectorCurrent:IC=-1A	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
HECX591	文件：345.93 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
HMC591	文件：390.76 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMIC2WATTPOWERAMPLIFIER,6.0-10.0GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC591	文件：298.12 Kbytes Page：8 Pages	GaAsPHEMTMMIC2WATTPOWERAMPLIFIER,6-10GHz	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite

详细参数

型号：
FMMT591ANTC
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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