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GMBT5551	文件：376.82 Kbytes Page：3 Pages	NPNHighVoltageTransistor ■FEATURES NPNHighVoltageTransistor	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司	GSME
GSMBT5551	文件：209.74 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GSMBT5551	文件：212.24 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
H5551	文件：109.32 Kbytes Page：1 Pages	NPNSILICONTRANSISTOR █AMPLIFIERTRANSISTOR Collector-EmitterVoltage:Vceo=160V. CollectorDissipation:Pc(max)=625mW	HuashanSHANTOU HUASHAN ELECTRONIC DEVICES CO.,LTD 华汕电子器件汕头华汕电子器件有限公司	Huashan
HCN5551	文件：387.21 Kbytes Page：4 Pages	GENERALPURPOSETRANSISTOR	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
HDSP-5551	文件：430.71 Kbytes Page：20 Pages	LowCurrentSevenSegmentDisplaysLowPowerConsumption Description Theselowcurrentsevensegmentdisplaysaredesignedforapplicationsrequiringlowpowerconsumption.Theyaretestedandselectedfortheirexcellentlowcurrentcharacteristicstoensurethatthesegmentsarematchedatlowcurrents.Drivecurrentsaslowas1mApersegmentarea	AVAGOAVAGO TECHNOLOGIES LIMITED 安华高	AVAGO
HM5551	文件：31.86 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHM5551isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •Highcollector-emitterbreakdownvoltage.VCEO>160V(@IC=1mA) •ComplementstoPNPtypeHM5401	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HMBT5551	文件：31.72 Kbytes Page：3 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR(forgeneralpurposeapplicationsrequiringhighBreakdownVoltages) Description TheHMBT5551isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighBreakdownVoltages.	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HN5551	文件：131.37 Kbytes Page：2 Pages	NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications???? NPNSiliconExpitaxialPlanarTransistorforgeneralpurpose,highvoltageamplifierapplications.	SEMTECHSemtech Corporation 升特	SEMTECH
HSMCJ5551	文件：239.87 Kbytes Page：2 Pages	PlasticSurfaceMount5AmpStandardRectifierSeries(200-1000V)	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi

详细参数

型号：
FMMT5551TC
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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