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FMMT494QTA	文件：211.54 Kbytes Page：7 Pages	120V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Feature • BVCEO > 120V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 500mW Power Dissipation • hFE characterised up to 1A for high current gain hold up • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 文件：211.54 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT494QTC	文件：211.54 Kbytes Page：7 Pages	120V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 Feature • BVCEO > 120V • IC = 1A Continuous Collector Current • ICM = 2A Peak Pulse Current • 500mW Power Dissipation • hFE characterised up to 1A for high current gain hold up • Totally Lead-Free & Fully RoHS compliant (Notes 1 & 2) • Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 文件：211.54 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT494QTA	文件：385.44 Kbytes Page：7 Pages	120V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：385.44 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT494QTA	文件：211.54 Kbytes Page：7 Pages	120V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR IN SOT23 文件：211.54 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
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FMMT494QTC	文件：385.44 Kbytes Page：7 Pages	120V NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR 文件：385.44 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT494QTA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 120V 1A SOT23-3	DIODES 美台半导体	DIODES
FMMT494QTC	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 120V 1A SOT23-3	DIODES 美台半导体	DIODES

产品属性

产品编号：
FMMT494QTC
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
系列：
Automotive, AEC-Q101
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 250mA，10V
频率 - 跃迁：
100MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 120V 1A SOT23-3

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更多FMMT494QT供应商更新时间2025-11-3 15:43:00

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