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MMBT4401	文件：117.2 Kbytes Page：6 Pages	NPNGENERALPURPOSEAMPLIFIER DESCRIPTION TheUTCMMBT4401isdesignedforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	UTCUnisonic Technologies 友顺友顺科技股份有限公司	UTC
MMBT4401	文件：461.1 Kbytes Page：6 Pages	SwitchingTransistorNPNSilicon SwitchingTransistorNPNSilicon	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MMBT4401	文件：195.59 Kbytes Page：2 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT4403) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching	TRSYS Transys Electronics	TRSYS
MMBT4401	文件：29.52 Kbytes Page：2 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Thisdeviceisdesignedforuseasamediumpoweramplifierandswitchrequiringcollectorcurrentsupto500mA.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT4401	文件：83.34 Kbytes Page：3 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •SurfaceMountSOT-23Package •Capableof350mWattsofPowerDissipation •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55ćto150ć •IC=600mA •Marking:2X/M4A •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates R	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT4401	文件：117.09 Kbytes Page：3 Pages	SMALLSIGNALTRANSISTORS(NPN) FEATURES ♦NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistorforswitchingandamplifierapplications. ♦Ascomplementarytype,thePNPtransistorMMBT4403isrecommended. ♦ThistransistorisalsoavailableintheTO-92casewiththetypedesignation2N4401.	GE GE Industrial Company	GE
MMBT4401	文件：52.39 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR Features ●EpitaxialPlanarDieConstruction ●IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching ●ComplementaryPNPType:MMBT4403 ●TotallyLead-Free&FullyRoHScompliant(Notes1&2) ●HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) ●QualifiedtoAEC-Q101StandardsforHig	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT4401	文件：124.03 Kbytes Page：4 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT4401	文件：93.3 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPuposeAmplifier	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT4401	文件：213.02 Kbytes Page：4 Pages	NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor FEATURES •Epitaxialplanardieconstruction. •ComplementaryPNPtypeavailable:MMBT4403. •Idealformediumpoweramplificationandswitching. APPLICATIONS •Generalpurposeapplication,switchingapplication.	BILINGalaxy Semi-Conductor Holdings Limited 银河微电常州银河世纪微电子股份有限公司	BILIN

详细参数

型号：
FMMT4401TC
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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