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FMMT415TD分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF中文资料

FMMT415TD
厂商型号

FMMT415TD

参数属性

FMMT415TD 封装/外壳为TO-236-3,SC-59,SOT-23-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3

功能描述

SOT23 NPN SILICON PLANAR AVALANCHE TRANSISTOR

封装外壳

TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

文件大小

108.49 Kbytes

页面数量

2

生产厂商 Diodes Incorporated
企业简称

DIODES美台半导体

中文名称

美台半导体官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-7-31 23:00:00

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FMMT415TD规格书详情

描述 Description

The FMMT415/417 are NPN silicon planar bipolar transistors designed for operating in avalanche mode. Tight process control and low inductance packaging combine to produce high-current pulses with fast edges.

特性 Features

• Avalanche Transistor

• 60A Peak Avalanche Current (Pulse width = 20ns)

• BVCES > 260V (415) & 320V (417)

• BVCEO > 100V

• Specifically designed for Avalanche mode operation

• Totally Lead-Free & Fully RoHS Compliant (Notes 1 & 2)

• Halogen and Antimony Free. “Green” Device (Note 3)

• Qualified to AEC-Q101 Standards for High Reliability

Applications

• Laser Diode Drivers for Ranging and Measurement (LIDAR)

• Radar Systems

• Fast Edge Switch Generator

• High Speed Pulse Generators

产品属性

  • 产品编号:

    FMMT415TD

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN 雪崩模式

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    500mV @ 1mA,10mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    25 @ 10mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    40MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-236-3,SC-59,SOT-23-3

  • 供应商器件封装:

    SOT-23-3

  • 描述:

    TRANS NPN 100V 0.5A SOT23-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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