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FMMT3904TA	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装：散装类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
FN3904G	文件：1.30635 Mbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementMOSFET Features VDS=30V,ID=100A RDS(ON)=3.4mΩ@VGS=10V(Typ.) RDS(ON)=5.0mΩ@VGS=4.5V(Typ.) HighPowerandcurrenthandingcapability Leadfreeproductisacquired SurfaceMountPackage MainApplications BatteryProtection LoadSwitch PowerManagement	GWSEMIGoodwork Semiconductor Co., Ltd 唯圣电子唯圣电子有限公司	GWSEMI
FTC3904H	文件：465.63 Kbytes Page：3 Pages	GeneralPurposeTransistors	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK3904	文件：1.04817 Mbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
FTK3904Z	文件：1.15746 Mbytes Page：5 Pages	30VN-ChannelMOSFETs	FS First Silicon Co., Ltd	FS
GL3904	文件：190.09 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTO Description TheGL3904isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications. Features Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V ComplementarytoGL3906	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GL3904	文件：192.32 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL
GM3904	文件：327.28 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司	GSME
GM3904	文件：227.22 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GM3904	文件：229.51 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR	ETLE-Tech Electronics LTD 亚历电子亚历电子有限公司	ETL

产品属性

产品编号：
FMMT3904TA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 5mA，50mA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 10mA，1V
频率 - 跃迁：
300MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS NPN 40V 0.2A SOT23-3

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