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MBT3904DW	文件：244.3 Kbytes Page：7 Pages	DualGeneralPurposeTransistorNPNNPNSilicon	WEITRON Weitron Technology	WEITRON
MBT3904DW	文件：599.37 Kbytes Page：7 Pages	DUALGENERALPURPOSETRANSISTORSSWITCHINGTRANSISTORS DESCRIPTION The MBT3904Ddeviceisaspinoffofourpopular SOT23/SOT323threeleadeddevice.Itis designedforgeneralpurposeamplifierapplications andishousedintheSC88(SOT363sixleaded surfacemountpackage.Byputtingtwodiscrete devicesinonepackage,thisdevicei	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBT3904L	文件：1.17919 Mbytes Page：9 Pages	SWITCHINGTRANSISTORNPNTRANSISTOR DESCRIPTION TheMBT3904LisavailableinSOT-23Package. FEATURES AvailableinSOT-23Package.	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBT3904T	文件：1.08697 Mbytes Page：10 Pages	SWITCHINGTRANSISTORNPNTRANSISTOR DESCRIPTION The MBT3904TisavailableinSC89package. FEATURES SimplifiesCircuitDesign. AvailableinSC89package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MBT3904W	文件：1.22252 Mbytes Page：10 Pages	SWITCHINGTRANSISTORSGENERALPURPOSETRANSISTORS DESCRIPTION Thesetransistorsaredesignedforgeneralpurposeamplifierapplications.TheyarehousedintheSC–70whichisdesignedforlowpowersurfacemountapplications. The MBT3904WisavailableinSC70package FEATURES ROHScompliance AvailableinSC70package	AITSEMIAiT Semiconductor Inc. 创瑞科技AiT创瑞科技	AITSEMI
MMBT3904	文件：99.47 Kbytes Page：4 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Features •Halogenfreeavailableuponrequestbyaddingsuffix-HF •Capableof350mWattsofPowerDissipationand200mAIc. •OperatingandStorageJunctionTemperatures:-55°Cto150°C •SurfaceMountSOT-23Package •LeadFreeFinish/RoHSCompliant(PSuffixdesignates RoHSCompliant	MCCMicro Commercial Components 美微科美微科半导体股份有限公司	MCC
MMBT3904	文件：207.83 Kbytes Page：7 Pages	NPNSiliconSwitchingTransistor NPNSiliconSwitchingTransistors •HighDCcurrentgain:0.1mAto100mA •Lowcollector-emittersaturationvoltage •ForSMBT3904S: Two(galvanic)internalisolatedtransistors withgoodmatchinginonepackage •Complementarytypes:SMBT3906...MMBT3906 •SMBT3904S:Fororientat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
MMBT3904	文件：64.43 Kbytes Page：7 Pages	NPNGeneralPurposeAmplifier Description Thisdeviceisdesignedasageneral-purposeamplifierandswitch.Theusefuldynamicrangeextendsto100mAasaswitchandto100MHzasanamplifier.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
MMBT3904	文件：55.72 Kbytes Page：3 Pages	NPNSMALLSIGNALSURFACEMOUNTTRANSISTOR 40VNPNSMALLSIGNALTRANSISTORINSOT23 Features •EpitaxialPlanarDieConstruction •ComplementaryPNPTypeAvailable(MMBT3906) •IdealforMediumPowerAmplificationandSwitching •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Devic	DIODESDiodes Incorporated 美台半导体	DIODES
MMBT3904	文件：136.67 Kbytes Page：3 Pages	SmallSignalTransistors(NPN) FEATURES ◆NPNSiliconEpitaxialPlanarTransistor forswitchingandamplifierapplications. ◆Ascomplementarytype,thePNP transistorMMBT3906isrecommended. ◆ThistransistorisalsoavailableintheTO-92 casewiththetypedesignation2N3904.	GE GE Industrial Company	GE

详细参数

型号：
FMMT3904RTC
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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