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IRF2907Z	文件：361.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionop	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907Z	文件：364 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907Z	文件：339.09 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRF2907ZL	文件：361.59 Kbytes Page：12 Pages	AUTOMOTIVEMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5mΩ ID=75A Description SpecificallydesignedforAutomotiveapplications,thisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionop	IRF International Rectifier	IRF
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IRF2907ZLPBF	文件：785.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5mΩ ID=160A Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprove	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907ZLPBF	文件：426.18 Kbytes Page：12 Pages	AdvancedProcessTechnology	IRF International Rectifier	IRF
IRF2907ZPBF	文件：785.48 Kbytes Page：12 Pages	HEXFETPowerMOSFET VDSS=75V RDS(on)=4.5mΩ ID=160A Description ThisHEXFET®PowerMOSFETutilizesthelatestprocessingtechniquestoachieveextremelylowon-resistancepersiliconarea.Additionalfeaturesofthisdesignarea175°Cjunctionoperatingtemperature,fastswitchingspeedandimprove	IRF International Rectifier	IRF
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详细参数

型号：
FMMT2907ATC
功能描述：
两极晶体管 - BJT -
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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