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HK-A2907-FREQ	文件：362.07 Kbytes Page：2 Pages	CRYSTALCLOCKOSCILLATORS	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
HM2907	文件：1.11107 Mbytes Page：4 Pages	N-channelenhancementmodeMOSFET	HMSEMIShenzhen Huazhimei Semiconductor Co., Ltd 华之美半导体深圳市华之美半导体有限公司	HMSEMI
HM2907	文件：310.35 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor FEATURES ·DrainCurrent:ID=180A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage :VDSS=80V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance :RDS(on)=4.5mΩ(Max)@VGS=10V ·100avalanchetested ·MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation APPLICATIONS ·Switchingappli	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
HM2907A	文件：31.71 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHM2907Aisdesignedforgeneralpurposeamplifierandhighspeed,medium-powerswitchingapplications. Features •Lowcollectorsaturationvoltage •Highspeedswitching •ForcomplementaryusewithNPNtypeHM2222A	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
HMBT2907	文件：29.89 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHMBT2907Aisdesignedforgeneralpurposeamplifierandhigh-speedswitching,mediumpowerswitchingapplications. Features •LowCollectorSaturationVoltage •HighSpeedSwitching •ForComplementaryUseWithNPNTypeHMBT2222A	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
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HPN2907A	文件：37.61 Kbytes Page：4 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheHPN2907Aisdesignedforgeneralpurposeamplifierandhighspeed,medium-powerswitchingapplications. Features •LowCollectorSaturationvoltage •HighSpeedSwitching •ForComplementaryUsewithNPNTypeHPN2222A	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
IIRF2907Z	文件：339.09 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFP2907	文件：334.48 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IIRFP2907Z	文件：335.09 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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产品属性

产品编号：
FMMT2907ATA
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
散装
晶体管类型：
PNP
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.6V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
10nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 150mA，10V
频率 - 跃迁：
200MHz
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
供应商器件封装：
SOT-23-3
描述：
TRANS PNP 60V 0.6A SOT23-3

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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