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FMI07N50E	文件：476.14 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET 文件：476.14 Kbytes 页数：5 Pages	Fuji 富士通	Fuji
FMI07N50E	文件：300 bytes Page：1 Pages	功率MOSFET 400V-500V	FUJI 富士通	FUJI
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FMV07N50E	文件：446.29 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET Super FAP-E3 series Features • Maintains both low power loss and low noise • Lower RDS(on) characteristic • More controllable switching dv/dt by gate resistance • Smaller VGS ringing waveform during switching • Narrow band of the gate threshold voltage (3.0±0.5V) • High aval 文件：446.29 Kbytes 页数：5 Pages	Fuji 富士通	Fuji
SDF07N50	文件：193.86 Kbytes Page：11 Pages	Super high dense cell design for low RDS(ON). 文件：193.86 Kbytes 页数：11 Pages	Samhop 三合微科	Samhop

详细参数

型号：
FMI07N50E
制造商：
FUJI
制造商全称：
Fuji Electric
功能描述：
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多FMI07N50E供应商更新时间2025-10-13 14:04:00

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