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FMI07N50E	文件：476.14 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FMP07N50E	文件：468.3 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
FMV07N50E	文件：446.29 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELSILICONPOWERMOSFET SuperFAP-E3series Features •Maintainsbothlowpowerlossandlownoise •LowerRDS(on)characteristic •Morecontrollableswitchingdv/dtbygateresistance •SmallerVGSringingwaveformduringswitching •Narrowbandofthegatethresholdvoltage(3.0±0.5V) •Highaval	FujiFuji Electric 富士电机富士电机株式会社	Fuji
SDF07N50	文件：193.86 Kbytes Page：11 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
SDF07N50T	文件：979.62 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelMOSFETusesadvancedtrenchtechnology	DOINGTERSHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD. 杜因特深圳市杜因特半导体有限公司	DOINGTER
SDF07N50T	文件：121.91 Kbytes Page：8 Pages	SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).	SamhopSamHop Microelectronics Corp. 三合微科三合微科股份有限公司	Samhop
STHI07N50	文件：291.08 Kbytes Page：6 Pages	HIGHINJECTIONN-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSTRANSISTORS(IGBT) •HIGHINPUTIMPEDANCE •LOWON-VOLTAGE •HIGHCURRENTCAPABILITY APPLICATIONS: •AUTOMOTIVEIGNITION •DRIVERSFORSOLENOIDSANDRELAYS N-channelHighInjectionPOWERMOStransis- tors(IGBT)whichfeaturesahighimpedancein- sulatedgateinputandalowon-resistance characteristi	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

详细参数

型号：
FMI07N50E
制造商：
FUJI
制造商全称：
Fuji Electric
功能描述：
N-CHANNEL SILICON POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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深圳市创新迹电子有限公司	FMI07N50E	F	22+	T-PACK(L)	25000	只做原装进口现货,专注配单	询价
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更多FMI07N50E供应商更新时间2025-7-23 14:02:00

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