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FMBS2383数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

FMBS2383

参数属性

FMBS2383 封装/外壳为SOT-23-6 细型,TSOT-23-6;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 160V 0.8A SUPERSOT-6

功能描述

NPN Epitaxial Silicon Transistor
TRANS NPN 160V 0.8A SUPERSOT-6

封装外壳

SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 8:31:00

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FMBS2383规格书详情

特性 Features

•集电极-发射极电压: VCEO= 160V
•电流增益带宽积: fT=120MHz

应用 Application

• This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FMBS2383属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的FMBS2383晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FMBS2383

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : NPN Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 500mA

  • IC Cont. (A)

    :0.8

  • VCEO Min (V)

    :160

  • VCBO (V)

    :160

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :Condition: IC = 500mA

  • hFE Min

    :Condition: IC = 100mA

  • hFE Max

    :Condition: IC = 100mA

  • fT Min (MHz)

    :Condition: IC = 100mA

  • PTM Max (W)

    :0.63

  • Package Type

    :TSOT-23-6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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