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FMBS2383	文件：255.81 Kbytes Page：5 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：255.81 Kbytes 页数：5 Pages	Fairchild 仙童半导体	Fairchild
FMBS2383	文件：319.72 Kbytes Page：7 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：319.72 Kbytes 页数：7 Pages	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FMBS2383	文件：300 bytes Page：1 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor •集电极-发射极电压： VCEO= 160V\n•电流增益带宽积： fT=120MHz;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FMBS2383	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：SOT-23-6 细型，TSOT-23-6；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 160V 0.8A SUPERSOT-6	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

产品属性

产品编号：
FMBS2383
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1V @ 50mA，500mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
80 @ 100mA，5V
频率 - 跃迁：
120MHz
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
供应商器件封装：
SuperSOT™-6
描述：
TRANS NPN 160V 0.8A SUPERSOT-6

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