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HY3906W	文件：723.71 Kbytes Page：11 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	HUAYIHUAYI MICROELECTRONICS CO.,LTD. 华羿微电华羿微电子股份有限公司	HUAYI
KMBT3906	文件：71.29 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors Features ●ComplementarytoMMBT3904 ●Marking:2A	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
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KST3906	文件：57.05 Kbytes Page：4 Pages	GeneralPurposeTransistor Features •GeneralPurposeTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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KST3906MTF	文件：113.45 Kbytes Page：4 Pages	PNPEpitaxialSiliconTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KZT3906	文件：819.42 Kbytes Page：2 Pages	PNPTransistors ■Features ●LowVoltageandLowCurrent ●GeneralPurposeAmplifierandSwitchApplication ●ComplementarytoPZT3904	KEXINGuangdong Kexin Industrial Co.,Ltd 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN

详细参数

型号：
FMB3906_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多FMB3906_Q供应商更新时间2025-7-25 15:59:00

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