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FMBT3906	文件：36.7 Kbytes Page：3 Pages	PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR Description TheFMBT3906isdesignedforgeneralpurposeswitchingandamplifierapplications.	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMBT3906	文件：61.96 Kbytes Page：2 Pages	PNPGeneralPurposeTransistorCollector-EmitterVoltageVCEO-40 PNPGeneralPurposeTransistor	FCIFirst Components International 戈采戈采企业股份有限公司	FCI
FMBT3906W	文件：135.46 Kbytes Page：10 Pages	SMDPNPTransistor 200mASiliconPNPEpitaxialPlanarTransistor Features •Highcollector-emitterbreakdienvoltage.(BVCEO=-40V@IC=-1.0mA) •Smallloadswitchtransistorwithhighgainandlowstaurationvoltage,isdesignedforgeneralpurposeamflifierandswitchingapplicationsatcollectorcurrent. •Capa	FORMOSAFormosa MS 美丽微半导体美丽微半导体股份有限公司	FORMOSA
FMMT3906	文件：174.88 Kbytes Page：2 Pages	SOT23PNPSILICONPLANARSWITCHINGTRANSISTORS	Zetex Zetex Semiconductors	Zetex
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GM3906	文件：329.24 Kbytes Page：4 Pages	SOT-23	GSMEGuilin Strong Micro-Electronics Co., Ltd. 桂微桂林斯壮桂微电子有限责任公司	GSME
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详细参数

型号：
FMB3906_Q
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Multi-Chip Trans General Purpose
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

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更多FMB3906_Q供应商更新时间2025-5-15 15:16:00

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