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TMDSEXP1808L	文件：5.91589 Mbytes Page：21 Pages	TIembeddedprocessorsbasedonARMtechnology	TI1Texas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI1
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UCC1808-	文件：148.53 Kbytes Page：7 Pages	LowPowerCurrentModePush-PullPWM	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UCC1808-X	文件：148.53 Kbytes Page：7 Pages	LowPowerCurrentModePush-PullPWM	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UPA1808	文件：64.54 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTORFORSWITCHING DESCRIPTION TheµPA1808isaswitchingdevice,whichcanbedrivendirectlybya4.0Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceandexcellentswitchingcharacteristics,andissuitableforapplicationssuchasDC/DCconvertersandpowermanagementofnotebookcomputersandso	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPA1808	文件：293.4 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR N-CHANNELMOSFIELDEFFECTTRANSISTOR FORSWITCHING DESCRIPTION TheμPA1808isaswitchingdevice,whichcanbedriven directlybya4.0Vpowersource. Thisdevicefeaturesalowon-stateresistanceand excellentswitchingcharacteristics,andissuitablefor applicationssuchasDC/DCc	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
VBA1808S	文件：755.16 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel80V(D-S)SuperTrenchPowerMOSFET FEATURES •SuperTrenchtechnologyPowerMOSFET •ExcellentgatechargexRds(on)product(FOM) •Verylowon-resfistanceRds(on) •100%RgandUISTested APPLICATIONS •DC/DCConverter Idealforhfigh-frequencyswfitchfingand synchronous	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBM1808	文件：776.67 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel80V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VJ1808	文件：136.56 Kbytes Page：14 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsforCommercialApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VJ1808	文件：117.43 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountMultilayerCeramicChipCapacitorsProhibitSurfaceArc-overinHighVoltageApplications	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

产品属性

产品编号：
FM1808B-PG
制造商：
Cypress Semiconductor Corp
类别：
集成电路（IC） > 存储器
系列：
F-RAM™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
存储器类型：
非易失
存储器格式：
FRAM
技术：
FRAM（铁电体 RAM）
存储容量：
256Kb（32K x 8）
存储器接口：
并联
写周期时间 - 字，页：
130ns
电压 - 供电：
4.5V ~ 5.5V
工作温度：
-40°C ~ 85°C（TA）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
28-DIP（0.600"，15.24mm）
供应商器件封装：
28-DIP
描述：
IC FRAM 256KBIT PARALLEL 28DIP

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