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FLM4450-4F	文件：256.54 Kbytes Page：4 Pages	C-Band Internally Matched FET	EUDYNAEudyna Devices Inc Eudyna Devices Inc	EUDYNA
EIC4450-4	文件：184.55 Kbytes Page：4 Pages	4.40-5.00GHz4-WattInternallyMatchedPowerFET FEATURES •4.40–5.00GHzBandwidth •Input/OutputImpedanceMatchedto50Ohms •+36.5dBmOutputPowerat1dBCompression •11.5dBPowerGainat1dBCompression •37PowerAddedEfficiency •-46dBcIM3atPO=25.5dBmSCL •100TestedforDC,RF,andRTH	Excelics Excelics	Excelics
EIC4450-4NH	文件：184.55 Kbytes Page：4 Pages	4.40-5.00GHz4-WattInternallyMatchedPowerFET FEATURES •4.40–5.00GHzBandwidth •Input/OutputImpedanceMatchedto50Ohms •+36.5dBmOutputPowerat1dBCompression •11.5dBPowerGainat1dBCompression •37PowerAddedEfficiency •-46dBcIM3atPO=25.5dBmSCL •100TestedforDC,RF,andRTH	Excelics Excelics	Excelics
EIM4450-4	文件：160.19 Kbytes Page：4 Pages	4.4-5.0GHzMulti-StagePowerAmplifier	Excelics Excelics	Excelics
NEZ4450-4B	文件：240.12 Kbytes Page：6 Pages	C-BANDPOWERGAASMESFET DESCRIPTION TheNEZC-BandseriesofhighperformancemicrowavepowerGaAsMESFETsprovideshighgainandlowintermodulationdistortionoverstandardanddigitalcommunicationbandsfrom3to8GHz. FEATURES ●INTERNALLYMATCHED(IN/OUT) ●HIGHPout(4W,8W,&15W) ●CLASSAOPERATION	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NEZ4450-4BD	文件：240.12 Kbytes Page：6 Pages	C-BANDPOWERGAASMESFET DESCRIPTION TheNEZC-BandseriesofhighperformancemicrowavepowerGaAsMESFETsprovideshighgainandlowintermodulationdistortionoverstandardanddigitalcommunicationbandsfrom3to8GHz. FEATURES ●INTERNALLYMATCHED(IN/OUT) ●HIGHPout(4W,8W,&15W) ●CLASSAOPERATION	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NEZ4450-4D	文件：108.79 Kbytes Page：18 Pages	4W/8WC-BANDPOWERGaAsFETN-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNEZSeriesofmicrowavepowerGaAsFETsofferhighoutputpower,highgainandhighefficiencyatC-bandformicrowaveandsatellitecommunications.Internalinputandoutputcircuitsmatchedto50Ωare designedtoprovidegoodflatnessofgainandoutputpowerinallocated	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NEZ4450-4DD	文件：108.79 Kbytes Page：18 Pages	4W/8WC-BANDPOWERGaAsFETN-CHANNELGaAsMESFET DESCRIPTION TheNEZSeriesofmicrowavepowerGaAsFETsofferhighoutputpower,highgainandhighefficiencyatC-bandformicrowaveandsatellitecommunications.Internalinputandoutputcircuitsmatchedto50Ωare designedtoprovidegoodflatnessofgainandoutputpowerinallocated	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
TIM4450-4UL	文件：70.5 Kbytes Page：4 Pages	MICROWAVEPOWERGaAsFET	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

详细参数

型号：
FLM4450-4F
制造商：
SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc
功能描述：
High Power GaAs FETs, C-Band, 11dB, 4.4 5.0GHz, 1100mA, Bulk

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
千层芯半导体(深圳)有限公司	FLM4450-4F	SUMITOMO	2021+	SMT	3600	一级代理销售住友SUMITOMO高频,射频,晶体,微波管	询价
深圳市欧立现代科技有限公司	FLM4450-4F	FUJITSU	22+	高频器件	3050	绝对原装现货,价格低,欢迎询购!	询价
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更多FLM4450-4F供应商更新时间2024-4-29 17:24:00

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