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| 零件编号 | 下载 订购 | 功能描述/丝印 | 制造商 上传企业 | LOGO |
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MICROWAVEPOWERGaAsFET FEATURES ･BROADBANDINTERNALLYMATCHEDFET ･HIGHPOWER P1dB=42.0dBmat13.75GHzto14.5GHz ･HIGHGAIN G1dB=7.0dBat13.75GHzto14.5GHz ･LOWINTERMODULATIONDISTORTION IM3=-42dBc(Min.)atPout=30dBm(SingleCarrierLevel) ･HERMETICALLYSEALEDPACKAGE | TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝 | TOSHIBA |
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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