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FLL410IK-3C	文件：246.13 Kbytes Page：6 Pages	L-Band High Power GaAs FET DESCRIPTION The FLL410IK-3C is a partially matched 40 Watt GaAs FET that is designed for use in 2.5 – 2.7 GHz band amplifiers. This new product is uniquely suited for use in MMDS applications as it offers excellent linearity, high efficiency, high gain, long term reliability and ease of use. 文件：246.13 Kbytes 页数：6 Pages	EUDYNA	EUDYNA
FLL57MK	文件：0 bytes Page：0 Pages	SMD	FUJITSU/富士通上传：君宇国际实业有限公司	FUJITSU/富士通
FLM0910-25F	文件：0 bytes Page：0 Pages	高频管	FUJITSU 富士通上传：深圳市科明隆电子有限公司	FUJITSU
FLM1011-8F	文件：0 bytes Page：0 Pages	射频管	EUDYNA 上传：深圳市烽火伟业电子有限公司	EUDYNA
FLOETH	文件：0 bytes Page：0 Pages	SIP	FLOETH 上传：深圳市宏捷佳电子科技有限公司	FLOETH

详细参数

型号：
FLL410IK-3C
制造商：
EUDYNA
制造商全称：
Eudyna Devices Inc
功能描述：
L-Band High Power GaAs FET

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