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FLL410IK-4C

L-Band High Power GaAs FET

DESCRIPTION The FLL410IK-4C is a partially matched 40 Watt GaAs FET that is designed for use in 3.4 – 3.7 GHz band amplifiers. This new product is uniquely suited for use in WLL applications as it offers excellent linearity, high efficiency, high gain, long term reliability and ease of use.

文件:248.7 Kbytes 页数:6 Pages

FUJITSU

富士通

FLL410IK-4C

L-Band High Power GaAs FET

Fujitsu

富士通

FLL57MK

SMD

FUJITSU/富士通

上传:君宇国际实业有限公司

FUJITSU/富士通

FLM0910-25F

高频管

FUJITSU

富士通

上传:深圳市科明隆电子有限公司

FLM1011-8F

射频管

详细参数

  • 型号:

    FLL410IK-4C

  • 制造商:

    SUMITOMO ELECTRIC Device Innovations Inc

  • 功能描述:

    L-Band High Power GaAs FET(46dBm@3.7GHz), Bulk

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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2019+
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50000
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更多FLL410IK-4C供应商 更新时间2026-2-1 16:04:00