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FJX2907A数据手册分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个规格书PDF

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厂商型号

FJX2907A

参数属性

FJX2907A 封装/外壳为SC-70,SOT-323;包装为剪切带(CT)带盒(TB);类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS PNP 60V 0.6A SOT323

功能描述

FJX2907A: PNP Epitaxial Silicon Transistor
TRANS PNP 60V 0.6A SOT323

封装外壳

SC-70,SOT-323

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体 安森美半导体公司

数据手册

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更新时间

2025-8-7 12:20:00

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FJX2907A规格书详情

描述 Description

FJX2907A

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FJX2907A属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的FJX2907A晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FJX2907A

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-freeHalide free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : PNP Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    :PNP

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = -500mA

  • IC Cont. (A)

    :0.6

  • VCEO Min (V)

    :60

  • VCBO (V)

    :60

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :Condition: IC = 500mA

  • VBE(on) (V)

    :-

  • hFE Min

    :Condition: IC = 150mA

  • hFE Max

    :Condition: IC = 150mA

  • fT Min (MHz)

    :Condition: IC = 50mA

  • PTM Max (W)

    :0.325

  • Package Type

    :SC-70-3 / SOT-323-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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