FJV4104中文资料PNP Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FJV4104 |
| 参数属性 | FJV4104 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
| 功能描述 | PNP Epitaxial Silicon Transistor |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
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FJV4104规格书详情
简介
FJV4104属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由制造生产的FJV4104晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。
技术参数
更多- 产品编号：
FJV4104RMTF
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
- 包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
- 晶体管类型：
PNP - 预偏压
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
68 @ 5mA，5V
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
- 供应商器件封装：
SOT-23-3
- 描述：
TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
2782 |
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询价 | ||
onsemi(安森美) |
24+ |
SOT233 |
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询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
25+ |
SOT-23 |
3000 |
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FAIRCHILD/仙童 |
10+ |
23 |
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ON/安森美 |
23+ |
SOT-23 |
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原装正品 支持实单 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
21+ |
SOT23 |
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原装现货假一赔十 |
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FAIRCHILD |
2023+ |
SMD |
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22+ |
SOT23 |
30000 |
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NK/南科功率 |
2025+ |
SOT-23 |
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国产 |
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SOT-23 |
23+ |
NA |
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