FJV4104R中文资料PNP 外延硅晶体管，带偏置电阻数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FJV4104R |
| 参数属性 | FJV4104R 封装/外壳为TO-236-3，SC-59，SOT-23-3；包装为剪切带（CT）带盒（TB）；类别为分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置；产品描述：TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3 |
| 功能描述 | PNP 外延硅晶体管，带偏置电阻 |
| 封装外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
| 人工找货 | FJV4104R价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FJV4104R规格书详情
描述 Description
带内置电阻的晶体管由于其减少的零件数量和简化的电路设计，可极大地节约空间和成本。
特性 Features
100 mA 输出电流处理能力
内置偏置电阻（R1 = 47 KΩ、R2 = 47 KΩ）
应用 Application
This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
FJV4104R属于分立半导体产品的晶体管-双极（BJT）-单预偏置。由制造生产的FJV4104R晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置预偏置双极晶体管具有内部电阻器，设计用于在未施加输入信号的情况下将器件保持在偏置或工作点附近。晶体管偏置可使晶体管更有效地工作，并产生稳定、无失真的输出信号。预偏置晶体管减少了所需的外部电路元器件数量，从而可降低项目成本。
技术参数
更多- 制造商编号
：FJV4104R
- 生产厂家
：ONSEMI
- Compliance
：Pb-freeHalide free
- Status
： Active
- Description
： PNP Epitaxial Silicon Transistor with Bias Resistor
- Polarity
：PNP
- IC Continuous (A)
：-0.1
- V(BR)CEO Min (V)
：-50
- hFE Min
：68
- R1 (kΩ)
：47
- R2 (kΩ)
：47
- R1/R2 Typ
：
- Vi(off) Max (V)
：
- Vi(on) Min (V)
：
- Package Type
：SOT-23-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
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SOT-23 |
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SOT23 |
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2025+ |
SOT-23 |
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