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FJP5200中文资料FJP5200: NPN Epitaxial Silicon Transistor数据手册ONSEMI规格书

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厂商型号

FJP5200

参数属性

FJP5200 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个;产品描述:TRANS NPN 250V 17A TO220-3

功能描述

FJP5200: NPN Epitaxial Silicon Transistor
TRANS NPN 250V 17A TO220-3

封装外壳

TO-220-3

制造商

ONSEMI ON Semiconductor

中文名称

安森美半导体

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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FJP5200规格书详情

描述 Description

音频功率放大器

特性 Features

高电流能力: IC = 15A。
高功耗: 80瓦。
高频率: 30MHz.
高电压: VCEO=250V
宽S.O.A可实现可靠操作
极佳的增益线性度可实现低THD。
FJP1943的补充器件
提供热SPICE模型和电气SPICE模型
相同的晶体管还可用于:
TO264封装,2SC5200/FJL4315: 150瓦
TO3P封装,2SC5242/FJA4313: 130瓦
TO220F封装,FJPF5200: 50瓦

应用 Application

This product is general usage and suitable for many different applications.

简介

FJP5200属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管(BJT)-单个。由制造生产的FJP5200晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一,对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言,它们的特性相比某些器件类型不占优势,但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言,它们仍然是首选技术。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :FJP5200

  • 生产厂家

    :ONSEMI

  • Compliance

    :Pb-free

  • Status

    : Active  

  • Description

    : NPN Epitaxial Silicon Transistor 

  • Polarity

    :NPN

  • Type

    :General Purpose

  • VCE(sat) Max (V)

    :Condition: IC = 8A

  • IC Cont. (A)

    :17

  • VCEO Min (V)

    :250

  • VCBO (V)

    :250

  • VEBO (V)

    :5

  • VBE(sat) (V)

    :-

  • VBE(on) (V)

    :Condition: IC =7A

  • hFE Min

    :Condition: IC =1A

  • hFE Max

    :Condition: IC =1A

  • fT Min (MHz)

    :Condition: IC = 1A

  • PTM Max (W)

    :80

  • Package Type

    :TO-220-3

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