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FJP5200	文件：565.35 Kbytes Page：5 Pages	Audio Power Amplifier 文件：565.35 Kbytes 页数：5 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJP5200	文件：619.96 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：619.96 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJP5200	文件：300 bytes Page：1 Pages	FJP5200: NPN Epitaxial Silicon Transistor 音频功率放大器高电流能力： IC = 15A。\n 高功耗： 80瓦。\n 高频率： 30MHz.\n 高电压： VCEO=250V\n 宽S.O.A可实现可靠操作\n 极佳的增益线性度可实现低THD。\n FJP1943的补充器件\n 提供热SPICE模型和电气SPICE模型\n 相同的晶体管还可用于：\n TO264封装，2SC5200/FJL4315： 150瓦\n TO3P封装，2SC5242/FJA4313： 130瓦\n TO220F封装，FJPF5200： 50瓦;	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJP5200OTU	文件：619.96 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：619.96 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJP5200RTU	文件：619.96 Kbytes Page：6 Pages	NPN Epitaxial Silicon Transistor 文件：619.96 Kbytes 页数：6 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJP5200RTU	文件：628.43 Kbytes Page：1 Pages	FAIRCHILD Small Signal Transistors 文件：628.43 Kbytes 页数：1 Pages	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
FJP5200OTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 250V 17A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI
FJP5200RTU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-3；包装：管件类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS NPN 250V 17A TO220-3	ONSEMI 安森美半导体	ONSEMI

技术参数

Compliance：
Pb-free
Status：
Active
Description：
NPN Epitaxial Silicon Transistor
Polarity：
NPN
Type：
General Purpose
VCE(sat) Max (V)：
Condition
IC Cont. (A)：
17
VCEO Min (V)：
250
VCBO (V)：
250
VEBO (V)：
5
VBE(on) (V)：
Condition
hFE Min：
Condition
hFE Max：
Condition
fT Min (MHz)：
Condition
PTM Max (W)：
80
Package Type：
TO-220-3

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