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FJNS3208RBU	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-226-3，TO-92-3 短体；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置描述：TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
FKQ3208	文件：341.46 Kbytes Page：4 Pages	DualN-Ch30VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKQ3208isthehighcelldensitytrenched N-chMOSFETs,whichprovidesexcellentRDSON andefficiencyformostofthesmallpower switchingandloadswitchapplications. TheFKQ3208meettheRoHSandGreenProduct requirementwithfullfunctionreliabilityapproved.	FETEKFETek Technology Corp. 台湾东沅东沅科技股份有限公司	FETEK
FKS3208	文件：568.29 Kbytes Page：4 Pages	DualN-Ch30VFastSwitchingMOSFETs Description TheFKS3208isthehighcelldensitytrenched N-chMOSFETs,whichprovideexcellentRDSON andgatechargeformostofthesynchronousbuck converterapplications. TheFKS3208meettheRoHSandGreenProduct requirementwithfullfunctionreliabilityapproved.	FETEKFETek Technology Corp. 台湾东沅东沅科技股份有限公司	FETEK
G3208	文件：109.02 Kbytes Page：1 Pages	Dual0.75SPDTAnalogSwitch	GMTGlobal Mixed-mode Technology Inc 致新科技	GMT
GC3208	文件：153.54 Kbytes Page：3 Pages	POWERGENERATIONHarmonicsGeneratorVaractors	MicrosemiMicrosemi Corporation 美高森美美高森美公司	Microsemi
HSDL3208	文件：265.7 Kbytes Page：18 Pages	UltraSmallProfilePackageIrDADataCompliantLowPower115.2kbit/sInfraredTransceiver	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HSDL-3208	文件：465.93 Kbytes Page：23 Pages	UltraSmallProfilePackageIrDA짰DataCompliantLowPower115.2kbit/sInfraredTransceiver Description TheHSDL-3208isanultra-smalllowcostinfraredtransceivermodulethatprovidestheinterfacebetweenlogicandinfrared(IR)signalsforthroughair,serial,half-duplexIRdatalink.ThemoduleiscomplianttoIrDAPhysicalLayerSpecificationsversion1.4LowPowerfrom9.6kbit	LITEONLite-On Technology Corporation 光宝科技光宝科技股份有限公司	LITEON
HY3208B	文件：4.79775 Mbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features 80V/120A RDS(ON)=mW(typ.)@VGS=10V ·ReliableandRugged ·LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant) 100%avalanchetested 7.0 Applications ·PowerManagementforInverterSystems.	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI
HY3208M	文件：4.79775 Mbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features 80V/120A RDS(ON)=mW(typ.)@VGS=10V ·ReliableandRugged ·LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant) 100%avalanchetested 7.0 Applications ·PowerManagementforInverterSystems.	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI
HY3208P	文件：4.79775 Mbytes Page：14 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET Features 80V/120A RDS(ON)=mW(typ.)@VGS=10V ·ReliableandRugged ·LeadFreeandGreenDevicesAvailable (RoHSCompliant) 100%avalanchetested 7.0 Applications ·PowerManagementforInverterSystems.	HOOYIHOOYI SEMICONDUCTOR 后羿半导体西安后羿半导体科技有限公司	HOOYI

产品属性

产品编号：
FJNS3208RBU
制造商：
onsemi
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
包装：
卷带（TR）
晶体管类型：
NPN - 预偏压
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
56 @ 5mA，5V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
300mV @ 500µA，10mA
电流 - 集电极截止（最大值）：
100nA（ICBO）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-226-3，TO-92-3 短体
供应商器件封装：
TO-92S
描述：
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92S

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市鹏顺微电子科技有限公司	FJNS3208RBU	ON Semiconductor	2022+	TO-92S	38550	全新原装支持表配单中国著名电子元器件独立分销	询价
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