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FJN4306R

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Switching Application (Bias Resistor Built In) • Switching circuit, Inverter, Interface circuit, Driver Circuit • Built in bias Resistor (R1=10KΩ, R2=47KΩ) • Complement to FJN3306R

文件:70 Kbytes 页数:4 Pages

FairchildFairchild Semiconductor

仙童半导体飞兆/仙童半导体公司

FJN4306R

PNP Epitaxial Silicon Transistor

ONSEMI

安森美半导体

FJN4306RBU

Package:TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA);包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

FJN4306RTA

Package:TO-226-3,TO-92-3(TO-226AA)成形引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极(BJT)- 单,预偏置 描述:TRANS PREBIAS PNP 300MW TO92-3

ONSEMI

安森美半导体

详细参数

  • 型号:

    FJN4306R

  • 功能描述:

    开关晶体管 - 偏压电阻器 50V/100mA/10K 47K

  • RoHS:

  • 制造商:

    ON Semiconductor

  • 晶体管极性:

    NPN/PNP

  • 安装风格:

    SMD/SMT

  • 封装/箱体:

    直流集电极/Base Gain hfe

  • Min:

    200 mA

  • 最大工作频率:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    50 V

  • 集电极连续电流:

    150 mA

  • 功率耗散:

    200 mW

  • 封装:

    Reel

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更多FJN4306R供应商 更新时间2025-10-6 11:10:00