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LTC4303	文件：224.95 Kbytes Page：16 Pages	DualI2C/SMBusAddressTranslator	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC4303	文件：549.45 Kbytes Page：12 Pages	HotSwappable2-WireBusBufferwithStuckBusRecovery	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC4303CDD	文件：549.45 Kbytes Page：12 Pages	HotSwappable2-WireBusBufferwithStuckBusRecovery	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
LTC4303IDD	文件：549.45 Kbytes Page：12 Pages	HotSwappable2-WireBusBufferwithStuckBusRecovery	LINERLinear Technology 凌力尔特凌特半导体	LINER
MP4303	文件：155.66 Kbytes Page：6 Pages	HighPowerSwitchingApplicationsHammerDrive,PulseMotorDriveandInductiveLoadSwitching	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
MP4303	文件：255.23 Kbytes Page：5 Pages	NCHANNELMSOTYPE(HIGHPOWERHIGHSPEEDSWITCHINGAPPLICATIONSHAMMERDRIVE,PULSEMOTORDRIVEANDINDUCTIVELOADSWITCHING) HighPowerSwitchingApplications HammerDrive,PulseMotorDriveandInductiveLoadSwitching •Smallpackagebyfullmolding(SIP12pins) •Highcollectorpowerdissipation(4-deviceoperation) :PT=4.4W(Ta=25°C) •Highcollectorcurrent:IC(DC)=2A(max) •HighDCcurrentgai	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
MP4303	文件：155.96 Kbytes Page：6 Pages	HighPowerSwitchingApplicationsHammerDrive,PulseMotorDriveandInductiveLoadSwitching	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
MP4303Q	文件：155.96 Kbytes Page：6 Pages	HighPowerSwitchingApplicationsHammerDrive,PulseMotorDriveandInductiveLoadSwitching	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
MSK4303HU	文件：228.75 Kbytes Page：6 Pages	10AMP,75VOLTMOSFETSMARTPOWER3-PHASEMOTORDRIVEHYBRID	MSK M.S. Kennedy Corporation	MSK
NCP4303	文件：1.26976 Mbytes Page：31 Pages	SecondarySideSynchronousRectificationDriverforHighEfficiencySMPSTopologies TheNCP4303A/Bisafullfeaturedcontrolleranddrivertailoredto controlsynchronousrectificationcircuitryinswitchmodepower supplies.Thankstoitsversatility,itcanbeusedinvarioustopologies suchasflyback,forwardandHalfBridgeResonantLLC. Thecombinationofexternallyad	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI

详细参数

型号：
FJN4303RBU_Q
功能描述：
开关晶体管 - 偏压电阻器 50V/100mA/22K 22K
RoHS：
否
制造商：
ON Semiconductor
晶体管极性：
NPN/PNP
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
200 mA
最大工作频率：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
50 V
集电极连续电流：
150 mA
功率耗散：
200 mW
封装：
Reel

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