FJN3303F中文资料High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor数据手册ONSEMI规格书
| 厂商型号 |
FJN3303F |
| 参数属性 | FJN3303F 封装/外壳为TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个；产品描述：TRANS NPN 400V 1.5A TO92-3 |
| 功能描述 | High Voltage Fast Switching NPN Power Transistor |
| 封装外壳 | TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）成形引线 |
| 制造商 | ONSEMI ON Semiconductor |
| 中文名称 | 安森美半导体 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 10:31:00 |
| 人工找货 | FJN3303F价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
FJN3303F规格书详情
特性 Features
•高压能力
•高速开关
•适用于电子镇流器和充电器
•绿色封装
应用 Application
• This product is general usage and suitable for many different applications.
简介
FJN3303F属于分立半导体产品的晶体管-双极性晶体管（BJT）-单个。由制造生产的FJN3303F晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个分立式双极结型晶体管 (BJT) 通常在音频、无线电及其他应用中用于构建模拟信号放大功能。作为大批量生产的第一批半导体器件之一，对于涉及高频开关和在大电流或高电压下工作的应用而言，它们的特性相比某些器件类型不占优势，但对于需要以极小的噪声和失真构建模拟信号的应用而言，它们仍然是首选技术。
技术参数
更多- 制造商编号
：FJN3303F
- 生产厂家
：ONSEMI
- Pb-free
：Pb
- Halide free
：H
- Status
：Active
- Polarity
：NPN
- Type
：High Voltage Fast-Switching Power Transistor
- VCE(sat) Max (V)
：3
- IC Cont. (A)
：1.5
- VCEO Min (V)
：400
- VCBO (V)
：700
- VEBO (V)
：9
- VBE(sat) (V)
：1.2
- VBE(on) (V)
：-
- hFE Min
：14
- hFE Max
：23
- fT Min (MHz)
：4
- PTM Max (W)
：1.1
- Package Type
：TO-92-3
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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